台积电斥资800亿美元在美新建两座3D封装厂，专攻HBM芯片量产

为缓解HBM芯片供应紧张局面，全球主要半导体代工企业台积电宣布，将在美国亚利桑那州投资800亿美元，新建两座3D封装工厂，专门用于生产HBM芯片。新工厂预计于2027年第一季度实现量产。

这一投资计划与全球AI算力基础设施的快速扩张密切相关。据公开信息，OpenAI的“星际之门”项目每月需采购90万片存储晶圆，其中HBM晶圆月需求量达34万片，相当于2025年全球HBM总产能的1.8倍。需求的集中爆发导致HBM芯片供需缺口持续扩大，谷歌、Meta等公司不得不推迟下一代大模型的发布计划。

HBM凭借高带宽、高容量的特性，成为AI大模型训练与推理的关键存储芯片，其产能瓶颈主要集中在先进封装环节。此前，三星与SK海力士已宣布未来两年合计投资超过1200亿美元扩充存储芯片产能，但HBM的先进封装能力仍是制约供应的关键。台积电此次新建的3D封装工厂将直接扩充HBM的封装产能，从供给侧缓解当前存储芯片的结构性紧张，也有望重塑由韩国厂商主导的HBM供应链格局。

从行业影响看，HBM供需失衡已推动其价格在2025年下半年上涨超过40%，而传统DDR5内存芯片价格保持平稳，存储芯片市场呈现明显分化。台积电在美国扩充先进封装产能，也反映出全球半导体供应链区域竞争加剧的趋势。随着亚利桑那州基地的3D封装工厂落地，台积电在美国的半导体制造链条将进一步延伸。