三星与SK海力士计划在德克萨斯州投资450亿美元建设先进存储芯片工厂

受美国《芯片与科学法案》补贴吸引，三星电子与SK海力士计划在德克萨斯州合计投资450亿美元，建设先进存储芯片工厂。

在OpenAI“星际之门”超级数据中心项目带来存储芯片需求激增的背景下，三星与SK海力士也在加快美国产能布局。根据双方合作协议，OpenAI每月将采购90万片半导体晶圆，相当于2025年底全球DRAM行业总产能的57%。其中，34万片HBM晶圆的月需求量，将使全球HBM产能在当前基础上提升88%。

作为全球存储芯片行业双寡头，三星与SK海力士此前已宣布在2026年至2028年内合计投资超过1200亿美元，用于提升韩国本土12英寸晶圆生产线产能。三星电子计划将P3生产线的HBM月产能从12万片提升至25万片；SK海力士则在M14工厂新建两条HBM专属生产线，预计2026年第四季度实现量产。

美国《芯片与科学法案》提供的补贴也促使两家公司加快在美国的产能布局。除德克萨斯州外，台积电也已宣布投资800亿美元在美国亚利桑那州新建两座3D封装工厂，专门生产HBM芯片，预计2027年第一季度实现量产。