瑞萨电子推出100V增强型GaN功率晶体管，面向AI数据中心等应用

瑞萨电子10月6日宣布推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品。该产品属于100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，包含RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC四款型号，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化及工业电机驱动等领域。

据介绍，该系列器件相比同类GaN器件，硬开关优值（FOM）最高降低35%，软开关优值最高降低63%；相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除反向恢复电荷（Qrr）损耗，开关损耗降低40%至70%。产品采用与硅器件兼容的封装尺寸，并提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB。

氮化镓属于宽禁带半导体材料，其禁带宽度约3.4电子伏特，远高于硅的约1.12电子伏特，临界击穿电场约为硅的10倍。瑞萨电子于2024年6月完成对GaN功率半导体厂商Transphorm的收购，此前其GaN产品多基于耗尽型SuperGaN技术，本次100V产品则是其首款增强型GaN分立器件，标志着其GaN技术首次扩展至低压领域。