2026-10-14 17:41
最后更新于2026-10-16 07:13
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SK海力士研发主管：2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍，正研发3D堆叠DRAM等内存技术
SK海力士研发主管安炫10月14日表示，到2030年人工智能基础设施的性能规模将增长约20倍。安炫称，这家存储芯片制造商正研发下一代内存技术，包括3D堆叠DRAM和高带宽闪存（HBF），同时继续提升现有HBM产品的性能。
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- 2026-10-14 17:34 | IT之家：SK 海力士预测：到 2030 年，AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍阅读原文
IT之家 10 月 14 日消息，据韩联社报道，SK 海力士开发总管安炫（Ahn Hyun）今日在首尔江南区 COEX 举行的“第 28 届韩国半导体大展”(SEDEX 2026) 上发表主旨演讲。他预测称，2030 年 AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍。安炫指出，当前 AI 推理市场正同时在三个维度快速扩张：任务复杂度的提升、单次处理信息量（上下文长度）的激增，以及推理请求量的井喷。这些因素相互交织，推动了 AI 算力基础设施需求的迅猛增长。随着 AI 推理需求的暴增，承担海量数据存储与迁移任务的存储器，其关键地位愈发凸显。特别是用于保存并复用前序处理信息的“键值缓存（KV Cach...
- 2026-10-14 17:23 | 界面新闻：SK海力士高管：到2030年AI基础设施性能规模料增长约20倍阅读原文
据报道，SK海力士研发主管安炫10月14日表示，到2030年人工智能基础设施的性能规模将增长约20倍。安炫称，SK海力士正研发下一代内存技术，包括3D堆叠DRAM和高带宽闪存（HBF），同时继续提升现有HBM产品的性能。