美国Tradr ETFs旗下两只挂钩SK海力士ADR的杠杆ETF（SKHA、SKHN）将于11月12日前后清盘，距7月28日上市仅三个多月。两只产品合计净资产约130万美元，较峰值缩水逾六成。同期SK海力士ADR小幅上涨约5%，表现强于两只ETF。
10月22日，SK海力士表示，考虑到近期资本市场状况和股价走势，将不再推进旗下存储硬件设计与制造子公司Solidigm在美国的IPO计划，该决定并非因子公司经营表现变化。
10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士计划升级其中国工厂，生产堆叠层数超过200层的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长并反击长江存储的竞争。三星西安厂拟将产线转换为286层V9 NAND，目标今年12月实现每月5000片晶圆产能；SK海力士计划将大连厂产品升级至240层或以上。
SK海力士公布3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。该技术利用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升速度与能效；3D FeNAND利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。
SK海力士研发主管安炫表示，到2030年人工智能基础设施的性能规模将增长约20倍；他称SK海力士正研发3D堆叠DRAM和高带宽闪存（HBF）等下一代内存技术，同时继续提升现有HBM产品性能。
구인재在ISOCC 2026主题演讲中指出AI数据中心面临结构性局限：GPU性能与PCIe带宽逐代翻倍，但SSD控制器内通用CPU频率与控制能力已达极限，单体CPU架构难以处理存储控制所需数百项细节功能，造成功耗浪费与流水线延迟。为此SK海力士推出自研超轻量事务专用处理器架构H-TPU，按功能拆分处理器、分布到数十个小型TPU集群，采用简化四级流水线，面积仅为通用CPU核心的1/25、功耗约2.5%，未使用模块切换至最低功耗模式。该技术计划应用于各类NAND产品线及下一代eSSD控制器，后续用于AI存储架构Storage Next，并预计与明年发布的HBF高带宽闪存形成协同。
阿斯麦通过韩国分公司向三星电子与SK海力士发出涨价意向后，经协商敲定统一上调在韩国供应的设备替换零部件价格10%，涵盖EUV及DUV光刻机全部零部件，新价格自明年1月起生效。
9月28日纽约，英伟达CEO黄仁勋与三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源共同出席韩国协会年度晚宴，这也是三位掌门人两个月内的第二次会面。外界普遍推测，下一代HBM供应及AI基础设施合作是核心讨论议题，不过官方尚未透露具体内容。投资者可关注三家企业后续是否发布联合声明或供应链合作动态，以判断AI算力格局走向。
据路透社报道，SK海力士旗下美国NAND闪存子公司Solidigm正考虑最早于明年IPO，估值可能高达1500亿美元，或成美国史上最大半导体IPO之一，计划募资150亿美元。Solidigm本周已与投行举行竞标推介会，但计划仍处早期阶段。SK海力士回应称正在评估各种选项以增强业务竞争力，尚未确认具体计划。
全球宏观投资者Stanley Druckenmiller首次公开访韩，最早于9月22日在首尔与斗山株式会社及斗山能源高管会面，此后计划拜访三星电子、SK海力士、Naver及Coupang等AI相关企业，围绕AI基础设施与能源两大主线考察投资机会。其旗下Duquesne Family Office管理约52亿美元资产。