清华团队直播解读AI光通信材料突破：硅晶圆上生长BTO薄膜，电光效应高出铌酸锂一个数量级

9月8日19时，清华大学材料学院副教授李千团队在EngineeringJournals视频号、科学网App等平台进行直播，解读其发表于《工程·变革性材料》（ENGINEERING Transformative Materials）创刊号封面论文的最新成果。团队在4英寸硅晶圆上生长出钛酸钡（BTO）薄膜，该材料的电光效应比铌酸锂薄膜高出一个数量级以上，并实现了原子级精度的均匀生长，在200℃高温下依然稳定。直播中，团队还结合研究进展探讨了该技术对AI时代光通信发展的前景。

团队介绍，当前AI算力正以指数级增长，但相当一部分电力并未用于计算，而是消耗在芯片间的数据搬运中。随着信息传输速率达到每秒1.6太比特，传统铜线电传输已逼近物理极限，“光进铜退”成为趋势。硅光技术被视作降低功耗的重要路线，但纯硅材料在电光调制上存在天然缺陷，现有薄膜铌酸锂平台也面临性能提升瓶颈。此次在硅晶圆上制备BTO薄膜的尝试，为突破上述限制提供了新的研究方向。

该成果由清华大学材料学院李千副教授、新型陶瓷材料全国重点实验室助理研究员邓晨光等共同完成，相关论文作为封面文章刊发于《工程·变革性材料》创刊号。