铭芯启睿首代RRAM存储芯片“泰山一号”完成流片
10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM（电阻式随机存取存储器）芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。
- 2026-10-14 15:54 | IT之家：铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：采用 1T4R 存储结构，密度达 30Mb / mm²阅读原文
感谢IT之家网友 华南吴彦祖 的线索投递！ IT之家 10 月 14 日消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。据界面新闻报道，该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度为 30Mb / mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。IT之家注：1T4R 结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。该技术路线利用与 CMOS 平台完全兼容的后道集成方式，在密度、...
- 2026-10-14 14:17 | 界面新闻：铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片，采用1T4R存储结构阅读原文
商业快报 34分钟前 10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储...