三星与SK海力士升级中国工厂，生产超200层NAND应对AI存储需求

10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士计划升级其位于中国的工厂，生产堆叠层数超过200层的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长，并反击长江存储在中国市场的竞争。

知情人士透露，两家公司正努力将中国工厂的制造能力提升至韩国本土水平。受美国自2022年起实施的芯片设备出口管制影响，三星与SK海力士中国厂房的技术升级此前受限，市场份额逐步被长江存储侵蚀。研究机构Omdia数据显示，2026年第二季度长江存储在中国NAND市场的占有率达38.5%，超过三星的33.5%和SK海力士的17%。

具体来看，三星西安厂目前生产约200层NAND芯片，占其全球NAND总产量约40%。该厂已启动内部代号“Monami”的项目，拟将产线转换为286层V9 NAND，目标2026年12月实现每月5000片晶圆产能，2027年12月提升至4万片。三星表示，此次升级符合美方法规，旨在满足全球客户需求，并非扩充总产能。SK海力士则计划将大连厂目前生产的192层产品升级至240层或以上。该厂为2021年收购英特尔NAND业务所得，现为旗下筹备赴美上市子公司Solidigm唯一的NAND生产基地。