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存储芯片巨头公布下一代HBM5路线图，2028年量产
韩国某存储芯片巨头公布下一代存储技术路线图，计划推出采用2纳米制程的HBM5，提供12/16/20层DRAM堆叠，性能提升2倍，预计2028年量产；同时推出性能达8倍的zHBM，预计2029年后推出。
2026-09-02 10:35
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2个来源：界面新闻、财联社
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