寒序科技发布uHBM与uLPU推理计算架构 实现MRAM磁存储与计算单元深度整合

2026年8月31日，寒序科技正式公布uHBM与uLPU推理计算架构。该公司称，这是国内首家将MRAM磁存储与计算单元深度整合的芯片设计方案，核心思路是让模型权重不再在存储与计算之间频繁搬运。

该方案将模型权重长期驻留在Persistent MRAM阵列中，并在同一颗Compute-Memory Die内完成矩阵-向量运算，系统只传递低维激活向量。首代uHBM架构的片内权重读出带宽设计值最高为24TB/s；面向4B多模态主干模型，uLPU的Decode性能目标超过2000 Tokens/s。寒序科技同时提醒，上述数值目前仍是架构设计值，完整性能、功耗和模型兼容性需等待首代工程产品流片实测后确定。

产品形态方面，寒序规划了从uHBM-Die、uLPU-Chip到Module、2U Tray和Rack的完整路线。端侧产品uLPU Edge由uHBM与NPU协同，面向机器人等物理AI场景；云端uLPU Cloud通过UCIe实现片间扩展，并借助112G/224G SerDes构建机柜级系统。首代完整工程产品已进入流片前收敛阶段。

据介绍，寒序科技成立于2023年8月，孵化于北京大学应用磁学中心。其验证芯片SpinPU-ED01已回片，集成120个MRAM Bank，实测片上访存带宽密度达0.105 TB/(mm²·s)，并完成端到端模型推理与连续24小时稳定运行。寒序科技表示，验证芯片回答了“这条路能不能走”，接下来两年的核心任务是将架构真正做成可量产的产品。