SK海力士与英特尔洽谈首次在美生产内存芯片
据路透社援引匿名消息人士报道，SK海力士正与英特尔洽谈在美国生产内存芯片，若达成合作，这将是该公司首次在美生产内存芯片。双方讨论了多种方案，包括SK海力士租用英特尔俄亥俄州规划工厂的部分空间，以及成立可能引入云服务提供商的合资企业。
SK海力士向TechCrunch回应称，尚未敲定任何具体计划。该公司表示，正在探索多种提升全球竞争力的选项，但相关方案和安排均未最终确定，报道中提及的两种情形也尚未作出决定。
SK海力士已在印第安纳州西拉法叶投资38亿美元建设AI芯片先进封装与研发设施，预计2029年开始量产。该工厂将使用韩国生产的DRAM晶圆，并封装为HBM芯片。目前尚不清楚若俄亥俄州合作达成，将生产何种类型的内存芯片。
在全球芯片短缺加剧的背景下，美国政府正推动扩大本土芯片生产。白宫曾在2026年1月表示，可能对半导体进口加征更广泛关税，同时为投资本土制造的企业提供关税减免。SK集团会长崔泰源2026年7月表示，若可行应在美建厂；同月，SK海力士在纳斯达克发行美国存托凭证。
路透社指出，涉及战略重要芯片技术的计划可能触发韩国政府审查。两家公司此前已有交易：2020年，英特尔以90亿美元将NAND闪存业务出售给SK海力士。
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