马斯克评中国存储芯片制造：规模化能力常超全球其他地区总和

10月12日，中国存储芯片厂商长鑫存储的技术突破消息引发美股芯片板块震荡，特斯拉CEO马斯克在社交平台X上发文回应，称中国一旦掌握某种产品的制造方法，其规模化能力往往超过全球其他地区的总和。

马斯克以锂电池和太阳能为例佐证这一判断，并表示中国在内存芯片领域的追赶速度值得关注。他认为，LP5、LP6等采用通用标准规格的RAM产品，中国似乎正在快速攻克；而新一代的HBM架构、逻辑层下方的SRAM层，以及在逻辑层上方进行3D堆叠RAM并解决散热问题，将是更难的技术挑战。

长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日至11日举行的行业活动上宣布，公司在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展，计划于2026年底推出基于该架构的DDR5服务器内存产品。该架构通过缩小存储单元面积，提升单位面积比特数，直接面向AI服务器所需的大容量内存市场。

受此影响，费城半导体指数周一（10月12日）下跌2.7%，创三周新低。美光收跌约4%，闪迪收跌近6%，SK海力士ADR及超微电脑均跌超4%。市场担忧中国厂商以更低成本、更大规模切入此前由美韩企业主导的高端存储芯片市场，将压缩相关企业的利润空间。