黄仁勋在柏林GTC大会期间接受采访，表示到2029年内存供应过剩可能性不大，并称HBM未来数年将持续得到应用，同时提到英伟达是首家将LPDDR内存引入数据中心的公司，能效为全球方案的两倍。
美光举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行展望。美光预计在标准HBM5面世的2028年，还将推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存。vHBM为3D集成版本HBM，垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片；vEIM瞄准端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和＜1pj/bit能效。
马斯克在X发文回应长鑫存储技术突破引发的芯片股抛售，称中国一旦掌握某种产品制造方法，其规模化能力往往超过全球其他地区总和，并以锂电池、太阳能为例；他称LP5、LP6等通用标准规格中国正快速攻克，同时指出HBM架构、SRAM层及3D堆叠RAM散热等是更难的技术挑战。
10月2日据韩媒报道，三星电子已将明年HBM4供应报价定为每吉比特4美元中高区间，约为现款HBM3E价格（约1.50美元/Gb）的三倍以上，并已启动与主要客户的年度合同谈判。三星HBM4已稳定实现11.7 Gbps传输速率、峰值13 Gbps，处于业内最高水平，其策略是以性能优势换取价格溢价。
美光计划在年底前进行大规模设备投资，以提升HBM4 12层产品供应能力，新增最多6万片/月产能，预计年底拥有约10万片/月规模HBM产能，以弥补与三星、SK海力士的差距。
韩国某存储芯片巨头公布下一代存储技术路线图，计划推出采用2纳米制程的HBM5，提供12/16/20层DRAM堆叠，性能提升2倍，预计2028年量产；同时推出性能达8倍的zHBM，预计2029年后推出。
9月1日，据DIGITIMES报道，SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越三星电子。此举旨在应对上游硅晶圆涨价预期，为HBM及先进DRAM产能扩张提前锁定原料，反映AI存储超级周期下成本压力向上游传导。
据韩国媒体报道，三星已通过长期供应协议锁定约70%的内存产能，以满足最远持续至2031年的芯片供应合同，HBM现货价格最高可达长协价的5倍。
SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。此举有望降低成本、提升供应稳定性，并减少对单一代工厂的依赖，未来合作也可能延伸至先进封装领域。
SK海力士CEO郭鲁正出席公司首座美国工厂奠基仪式，预计存储芯片供应短缺将持续至2030年底，并称新工厂到2030年将使印第安纳州成为美国关键的HBM生产基地。他透露工厂首座封装洁净室预计2028年10月启用，并称公司对美国建设先进存储晶圆厂持开放态度。