美光计划在年底前进行大规模设备投资，以提升HBM4 12层产品供应能力，新增最多6万片/月产能，预计年底拥有约10万片/月规模HBM产能，以弥补与三星、SK海力士的差距。
韩国某存储芯片巨头公布下一代存储技术路线图，计划推出采用2纳米制程的HBM5，提供12/16/20层DRAM堆叠，性能提升2倍，预计2028年量产；同时推出性能达8倍的zHBM，预计2029年后推出。
9月1日，据DIGITIMES报道，SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越三星电子。此举旨在应对上游硅晶圆涨价预期，为HBM及先进DRAM产能扩张提前锁定原料，反映AI存储超级周期下成本压力向上游传导。
据韩国媒体报道，三星已通过长期供应协议锁定约70%的内存产能，以满足最远持续至2031年的芯片供应合同，HBM现货价格最高可达长协价的5倍。
SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。此举有望降低成本、提升供应稳定性，并减少对单一代工厂的依赖，未来合作也可能延伸至先进封装领域。
SK海力士CEO郭鲁正出席公司首座美国工厂奠基仪式，预计存储芯片供应短缺将持续至2030年底，并称新工厂到2030年将使印第安纳州成为美国关键的HBM生产基地。他透露工厂首座封装洁净室预计2028年10月启用，并称公司对美国建设先进存储晶圆厂持开放态度。
财信证券预判，2026年存储原厂扩产资源重点投向HBM，传统DRAM与NAND供给增量受限，供需缺口走阔，行业步入量利齐升兑现期。可关注存储产业链机会。
为应对HBM供应紧张，台积电计划斥资800亿美元，在亚利桑那增设两座3D先进封装厂，专注HBM芯片制造，量产时间定于2027年第一季度。