SK海力士3D FeNAND实现模拟存内计算，适配AI权重数据

10月15日，据韩媒The Elec报道，SK海力士公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。

据介绍，A-CiM是一种利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算（MAC）的技术，能够减少数据在存储与计算单元之间的搬运，进而提升处理速度与能效。3D FeNAND利用铁电材料的极化状态来存储数据并控制电流。相较于采用电荷俘获氮化物（CTN）结构的传统3D NAND，铁电材料具有在外部电场消失后仍能保持内部极化状态的特点。

SK海力士表示，FeNAND能够在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。