2026-10-21 11:40
最后更新于2026-10-21 11:41
AI123
英伟达下代Groq LPU AI推理芯片或采用3D堆叠DRAM方案
据韩媒ZDNET Korea报道，英伟达下代Groq LPU AI推理加速器芯片有望采用基于TSV（硅通孔）工艺的3D堆叠DRAM方案，以替代当前的大容量SRAM缓存设计。
当前一代Groq LPU采用大容量SRAM缓存设计，可提供快速解码输出。但SRAM存在容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。报道称，英伟达正考虑通过3D堆叠DRAM方案解决上述瓶颈。
同样采用大SRAM技术路线的Cerebras此前也预告，其未来的CS-6芯片将采用3D垂直集成DRAM技术。
来源
- 2026-10-21 11:24 | IT之家：消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案阅读原文
IT之家 10 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，NVIDIA（英伟达）的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计，提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。IT之家注意到，同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。相关阅读：《Cerebras 揭秘 CS-6 晶圆级进化：颠覆性 3D 堆叠...