光羽芯辰牵头制定的端侧AI芯片3D DRAM集成技术标准通过验收

光羽芯辰牵头制定的《端侧AI芯片的3D DRAM集成技术标准》已通过上海市集成电路行业协会立项评审并完成验收。

光羽芯辰是一家端侧AI芯片厂商。此前，该公司于7月的WAIC 2026上发布了端侧大算力3D堆叠近存算低功耗大模型推理芯片TC1000系列。该芯片等效带宽达到传统端侧AI方案10倍以上，同等算力下功耗仅为传统方案的1/3，已实现单芯片3B模型300token/s超高速推理。

在端侧AI芯片领域，3D堆叠、存算一体等创新架构路径已成为厂商布局方向。袁帅表示，算力下沉并非坦途，受限于冯·诺依曼架构的“存储墙”与“功耗墙”，数据搬运损耗远大于计算损耗，如何在极其受限的功耗、面积、成本和带宽里，把AI能力高效地释放出来，是端侧AI芯片厂商们的必答题。光羽芯辰、后摩智能等厂商均在3D堆叠、存算一体等技术方向进行布局，意在打穿“内存墙”。

此外，全志科技在半年报中表示，3D堆叠、Chip to Chip、Die to Die的芯片互联方式也成为解决工艺高成本和低良率的有效方案。后摩智能基于存算一体架构的AI芯片M50已实现量产，并成为联想AI主机P7的端侧算力核心。