中科重仪MOCVD核心装备实现国产化，芯片制造关键装备成本降低50%

在8月26日开幕的HICOOL 2026全球创业者峰会上，北京中科重仪半导体科技有限公司在高质量发展成果展区展示了自主研发的MOCVD核心装备。展台上，类似组合柜的白色装备旁，陈列着泛着金属光泽的氮化镓外延片以及650V氮化镓FETs等下游器件。据现场负责人介绍，该装备已实现核心部件百分之百国产化，综合生产成本降低50%以上，关键性能达到国际先进水平。

芯片被称为现代产业的"粮食"，高端装备则是支撑产业链发展的关键基石。MOCVD是氮化镓外延生长最核心的高端装备，通俗而言如同给氮化镓晶圆"种薄膜"的核心高温炉。此前该领域长期被国外企业垄断，是半导体行业的"卡脖子"环节。中科重仪深耕第三代半导体氮化镓赛道，通过攻坚温场流场控制、颗粒度控制等关键技术，实现了设备核心部件的全面国产化。

目前，中科重仪自研设备生长的6至8英寸硅基氮化镓外延片已实现量产，加工后的功率器件广泛应用于机器人关节、新能源汽车电源、算力中心供电系统等场景。其中，圆盘状的氮化镓FETs正是机器人的关节控制器。产品已进入多家行业头部企业供应链。

中科重仪成立于2021年，2022年参加HICOOL全球创业大赛并获得国际创业组三等奖。2025年，公司入驻HICOOL产业园，2026年5月，其北京研发中心完成场地扩容，研发规模持续扩大。公司表示，下一步将继续依托HICOOL产业园的创新生态，推进氮化镓全产业链国产替代，以更加高效、节能的技术产品服务产业升级。