高盛预计DRAM供应缺口2027年扩大至5.9% AI服务器需求挤占产能

高盛最新预测称，DRAM供应缺口将从2026年的5.0%扩大至2027年的5.9%。该机构认为，AI服务器所需的HBM（高带宽内存）以及大容量服务器DRAM正在吸收有限的生产产能，导致普通DRAM供应进一步收紧。这一判断显示，AI算力需求对存储芯片产能的挤占效应正在加剧。

集邦咨询的数据显示，2027年内存价格将在云服务商的AI基础设施预算中占据更大比重，DRAM与NAND闪存预计将占到总资本开支的68%，高于2026年的47%。服务器DRAM价格2026年预计上涨约270%，企业级存储产品价格涨幅可达235%，延续自2025年下半年开启的涨价行情。

国海证券研报指出，AI算力建设对于电子制造资源的挤占效应仍在蔓延中，存储、晶圆代工、PCB、被动元件、模拟芯片等多个环节的景气度持续走高。存储板块在经历前期调整后，估值已回落至“战略配置”区间，近期涨价预期出现明显修复。

市场层面，截至2026年8月27日，科创芯片ETF博时跟踪的上证科创板芯片指数上涨2.31%，南芯科技、澜起科技等成分股涨幅居前。该ETF紧密跟踪上证科创板芯片指数，指数样本覆盖半导体材料、设备、芯片设计、制造、封测等环节的科创板上市公司。