SK海力士美国HBM封装工厂奠基，预计存储芯片短缺持续至2030年底

当地时间8月27日，SK海力士CEO郭鲁正在印第安纳州西拉斐特市出席公司首座美国工厂奠基仪式。郭鲁正表示，该工厂建成后，到2030年将使印第安纳州成为“美国关键的HBM生产基地”，并预计当前的存储芯片供应短缺将持续至2030年底。

郭鲁正指出，随着AI需求持续激增，高带宽内存（HBM）正面临全球范围内的严重供应短缺。SK海力士目前是全球HBM市场份额最高的厂商，正在推进一项规模达7200亿美元的大规模扩产计划，其中绝大部分扩产项目将在韩国本土进行。该公司在韩国建设的全球最大存储芯片晶圆厂园区，相关生产预计将于2027年2月启动。

SK海力士在印第安纳州投资40亿美元的工厂将主要负责封装业务，即通过堆叠和连接将存储芯片组合成高性能存储产品。郭鲁正透露，工厂首座用于封装生产的洁净室预计将于2028年10月启用。

美国商务部长卢特尼克今年7月曾要求SK海力士及其竞争对手三星电子在美国建设先进存储芯片晶圆制造厂。对此郭鲁正回应称，SK海力士正在寻找合适的机会，对“任何地点、任何国家都持开放态度”，并表示将继续扩大在美国的投资。

郭鲁正提到，到2030年，SK海力士在美国的投资及资产总额预计将超过450亿美元，其中包括公司今年1月成立的规模达100亿美元的“AI Company”及子公司Solidigm。他还表示，目前没有看到存储芯片行业出现明显下行的迹象，即使未来市场放缓，需求也更可能是增速趋缓而非大幅下降。