存储芯片巨头公布下一代HBM5路线图，2028年量产

近日，韩国某存储芯片巨头正式公布下一代存储技术路线图，引发行业关注。根据规划，新一代高带宽内存（HBM5）将采用2纳米制程基础芯片，并提供12层、16层和20层DRAM堆叠方案，目标性能达到上一代产品的2倍，同时单瓦性能提升20%、热阻降低20%，预计2028年前后实现量产。

此外，该巨头还披露了采用存储芯片直接堆叠于处理器上方新架构的zHBM，目标性能达到上一代的8倍，预计2029年后推出。这一系列技术布局进一步强化了其在高端存储芯片领域的竞争力，也为AI算力基础设施的演进提供了重要支撑。