铠侠拟建新厂量产3D闪存，应对AI存储需求

8月27日，存储芯片制造商铠侠宣布，计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂，以满足不断增长的人工智能相关存储需求。新工厂将位于北上工厂厂区内，作为该公司第三座制造设施，命名为“Fab3”，预计于2029财年投入运营。

据介绍，Fab3将建于Fab2南侧，主要量产铠侠先进的3D闪存“BiCS FLASH”。这类NAND型闪存主要部署于数据中心，用于处理AI服务产生的海量工作负载。铠侠表示，在智能体人工智能、物理人工智能和设备端人工智能的驱动下，闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。

铠侠是全球主要的存储芯片制造商之一。此次宣布建设Fab3，正值AI相关存储需求快速上升的时期。

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2026-08-28 08:42 | 新浪财经：三大存储芯片巨头，开盘下跌
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8月28日，日韩股市双双低开。日经225指数开盘下跌0.04%，报66104.49点；韩国综合指数开盘下跌0.95%，报6846.54点。三大存储芯片巨头开盘下跌，铠侠跌1.39%，三星电子跌1.32%、SK海力士跌1.89%。截至发稿时，日经225指数拉升转涨，上涨0.28%，报66317.48点。铠侠跌幅扩大至跌超2%。韩国综合指数跌1.05%，报6839.57点。三星电子跌1.6%，SK海力士跌幅扩大至跌超2%。8月27日，铠侠发布消息称，计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂，以满足不断增长的人工智能相关存储需求。公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”，Fab3将建于...

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