SK海力士硅晶圆采购环比暴增104% 为HBM产能扩张提前锁定原料

9月1日，据DIGITIMES报道，SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越三星电子。此举引发市场关注，被认为是存储巨头为应对上游硅晶圆涨价预期，提前锁定HBM及先进DRAM产能扩张所需原材料。

在半导体制造成本中，硅晶圆占据核心比重。SK海力士此次翻倍式采购，旨在平抑未来成本波动，确保AI存储芯片产能扩张不受原料短缺制约。AI驱动的存储超级周期，正将成本压力从芯片制造端向上游材料端传导。

为支持下一代HBM4生产，SK海力士已将1C DRAM扩产计划上调至原目标的近两倍，2027年第一季度末月产量目标提升至17万至20万片。同时，公司计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂。技术层面，SK海力士已开发1c制程16GB LPDDR6芯片，并完成375层NAND闪存量产验证，计划2026年底前量产。

在设备采购端，SK海力士近期打破行业惯例，向核心设备供应商开放价格调整窗口，默许部分一级供应商提价3%至4%，终结了过去五年设备供应商持续降价的局面。在评估375层NAND的钼制程设备时，其选择了东京电子的炉式设备。从材料到设备，SK海力士的激进备料与成本妥协显示，AI产能军备竞赛正加剧存储巨头对上游供应链的依赖，半导体资本支出红利正加速向硅晶圆及设备环节传导。