三星第二代8LPU+平台亮相IEDM 2026，面向边缘AI等场景

三星晶圆代工部门在2026年12月14日的IEDM 2026活动上，围绕第二代8LPU+平台发表演讲。该平台旨在扩展其8纳米工艺，是三星在成熟制程领域的一次重要更新。

根据三星提交给IEDM 2026的技术摘要，相较上一代8LPU，新平台性能提升12%，功耗降低15%，芯片面积缩小8%，并通过ULL-SRAM与cHVT器件降低待机漏电。

与先进制程普遍采用EUV光刻不同，8LPU+明确采用无EUV路线，继续基于现有DUV产线。三星表示，这有助于避免高昂的EUV设备投入，在成熟制程上实现更低成本和更快量产。

该平台主要面向边缘AI、机器人和汽车芯片。三星称，8LPU+集成原生3.3V平面I/O器件，可额外减少约10%的I/O面积；其汽车级1级（AG1）eMRAM位单元面积约为0.017平方微米，相当于每平方毫米约20Mb存储容量。