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英特尔晶圆厂特别节目：芯片三维堆叠需十年消化散热难题

科技播客主持人Dwarkesh Patel发布英特尔晶圆厂特别节目，走访两天并与五位技术负责人对话。内容涉及环绕栅极、背面供电、CFET等芯片结构演进，指出2045年芯片将向三维堆叠发展，每种新结构需约十年消化散热难题。英特尔研发负责人Chris Auth等讨论了散热限制、钌替代铜互连、混合键合技术进展，并回顾了10纳米节点教训。