3D CIM存算一体：后摩智能下代端边芯片架构确认

在2026全球AI芯片峰会上，后摩智能确认其下一代大模型端边AI芯片将采用3D CIM存算一体架构，融合存算与3D DRAM技术。该芯片通过垂直堆叠，在同等面积下可实现2倍算力，并有望优化功耗与散热压力。

据介绍，这款新一代旗舰芯片将具备端侧超实时思考与互动能力。后摩智能此前于2025年7月发布了后摩漫界M50芯片，典型功耗10W，可提供160TOPS（INT8）或100TFLOPS（bFP16）算力，支持48GB内存容量和153.6GB/s内存带宽。该芯片目前已获得超过150款产品定点，覆盖多种应用场景。