三星锁定约70%内存产能至2031年 长期协议覆盖主要客户
据韩国媒体报道,三星电子已通过长期供应协议锁定了约70%的内存产能,以满足最远持续至2031年的芯片供应合同。根据协议安排,长期客户可获得远低于现货市场的价格,其中高带宽内存(HBM)现货价格最高可达长协价的5倍。
随着人工智能基础设施建设持续推动HBM需求增长,DRAM市场供应日趋紧张。HBM是将多层DRAM芯片堆叠封装而成的高性能内存,而新一代HBM4单个模块使用的DRAM堆叠层数更多,进一步占用DRAM产能,减少了可用于其他用途的DRAM供应量。
报道称,三星正在考虑将其位于平泽园区的S5晶圆厂改造为内存制造工厂,SK海力士则有意与一家日本企业合作建设合资工厂。长期供应协议是近年来存储芯片市场出现的新模式,厂商可通过提前锁定需求提升市场可预测性,一定程度上削弱行业周期性波动。
据报道,微软、英伟达和谷歌均是三星长期供应协议的客户。价格方面,一颗36GB HBM3E模组现货价格约为287万韩元,而长期协议中同类产品价格仅为50万至70万韩元;采用16层DRAM堆叠的HBM4产品,单个模组价格约为480万韩元。
- 2026-09-01 22:11 | IT之家:消息称三星已锁定约 70% 存储芯片产能至 2031 年,HBM 长协价仅为现货五分之一阅读原文
IT之家 9 月 1 日消息,随着人工智能基础设施建设持续推动高带宽内存(HBM)需求增长,据韩国媒体最新报道,三星已经通过长期供应协议(LTA)锁定了约 70% 的内存产能。这些长期协议能够让三星客户获得远低于现货市场的价格。据报道,HBM 现货价格最高可达到长期协议价格的 5 倍。SEDaily 报道称,HBM 需求持续飙升,已经导致 DRAM 市场供应趋紧。HBM 可以理解为将多层 DRAM 芯片进行堆叠封装而成的高性能内存。随着内存厂商开始向 HBM4 过渡,DRAM 市场面临的供应压力也进一步加大。报道称,与此前的 HBM 产品相比,新一代 HBM4 单个模块使用的 DRAM 堆叠层...