10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士计划升级其中国工厂，生产堆叠层数超过200层的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长并反击长江存储的竞争。三星西安厂拟将产线转换为286层V9 NAND，目标今年12月实现每月5000片晶圆产能；SK海力士计划将大连厂产品升级至240层或以上。
三星晶圆代工部门将扩展8纳米工艺，推出第二代8LPU+平台。据其提交给IEDM 2026的技术摘要，新平台较上一代8LPU性能提升12%、功耗降低15%、芯片面积缩小8%，并通过ULL-SRAM与cHVT器件降低待机漏电。该平台采用无EUV路线，利用现有DUV产线，主要面向边缘AI、机器人和汽车芯片。
三星电子破天荒与台积电联手，将用其3纳米制程为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）打造基础芯片，标志着两家巨头在HBM制造环节的首度协作。事实上，英伟达已向三星、SK海力士及美光统一提出要求，希望它们都采用台积电工艺生产NVHBM基础芯片。三星内部权衡后点头同意，不过仅限于定制产品线——其标准HBM及其他客户专属方案仍将沿用自家制造流程。对供应链而言，这意味着台积电在AI存储赛道上的话语权进一步扩大，相关厂商可提前评估自身采购策略是否受制于产能分配。
三星宣布与深度伪造检测公司Reality Defender合作，开发面向企业用户的端侧AI深度伪造检测方案，直接在Galaxy设备本地运行，识别AI生成的虚假语音、视频和图像，计划率先落地新加坡市场，并借助Knox安全平台提供保护，具体上线时间和支持机型尚未公布。
波尔奇尼在2026首尔设计周上表示，三星坚持以人为本的设计理念，将AI与人的情感智能、想象力相结合，认为AI是帮助人发挥创造力的工具而非取代人，人的批判性思维、创造力与感受力才是产品设计的核心竞争力，并称三星将该理念贯穿电视、智能手机、家电等产品设计。
三星电子于当地时间10月12日在2026年OCP全球峰会上展示下一代内存与存储技术，覆盖内存扩展、计算速度、数据存储三大领域；与AMD联合演示基于CXL的内存扩展解决方案（采用CMM-D内存池化技术），并展出定制化HBM、HBM5、存算一体技术、2纳米环绕栅极晶圆、Groq语言处理单元晶圆、英伟达Groq 3 LPX系统及企业级SSD与键值缓存优化技术。
10月12日，三星旗下AI平板电脑新品Galaxy Tab S12系列正式亮相，在标志性大屏与超纤薄设计基础上升级显示体验、性能配置与AI生产力，结合Galaxy AI与多任务处理能力，随附无需充电配对的S Pen触控笔，支持笔记助手、Bixby语聊视界、AI拍照解题、英语口语老师等功能。
阿斯麦通过韩国分公司向三星电子与SK海力士发出涨价意向后，经协商敲定统一上调在韩国供应的设备替换零部件价格10%，涵盖EUV及DUV光刻机全部零部件，新价格自明年1月起生效。
10月8日，三星电子发布2026年第三季度初步业绩：7至9月营业利润107.4万亿韩元，同比增782%，史上首破100万亿韩元，连续第四季创纪录；营收195万亿韩元，同比增127%。AI存储需求旺盛推动业绩，完整业绩本月晚些时候发布。
据消息人士透露，AMD首席执行官苏姿丰在访问韩国期间，计划于周三与三星电子负责核心芯片部门的副董事长全永铉会晤，这是七个月内苏姿丰第二次到访首尔。当前存储产品普遍紧缺、价格飙升，制约AI基础设施扩张，双方此前已于今年3月达成涵盖HBM及先进存储芯片的供货协议。