三星与台积电首次合作生产英伟达HBM基础芯片

据报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。

消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留内部生产模式，用于标准HBM和其他客户定制产品。

英伟达于2026年8月发布NVHBM方案，将定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施。此前，三星开发HBM核心芯片和基片时通常采用“交钥匙”模式，即从设计到封装均由单一供应商闭环完成；SK海力士则选择将HBM4基片交由台积电代工的专业分工模式。

最新消息意味着三星与台积电将联合开发3纳米制程基片，最终目标是生产标准化产品，从而减少NVHBM的质量验证步骤。英伟达曾表示，NVHBM可提供比标准HBM4E高出30%的内存带宽，功耗降低15%。为实现这些优势，英伟达要求内存供应商实现标准化，基础芯片仅采用台积电3纳米工艺，核心芯片统一使用第六代DRAM工艺，从而无需单独验证各厂商样品，节省时间和资源。

与此同时，由于NVHBM带来的需求，三星并不介意与台积电临时合作，同时兼顾标准HBM和其他客户定制芯片业务，并探索作为NVHBM基片产能备份的可能性。