三星电子破天荒与台积电联手，将用其3纳米制程为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）打造基础芯片，标志着两家巨头在HBM制造环节的首度协作。事实上，英伟达已向三星、SK海力士及美光统一提出要求，希望它们都采用台积电工艺生产NVHBM基础芯片。三星内部权衡后点头同意，不过仅限于定制产品线——其标准HBM及其他客户专属方案仍将沿用自家制造流程。对供应链而言，这意味着台积电在AI存储赛道上的话语权进一步扩大，相关厂商可提前评估自身采购策略是否受制于产能分配。
日本经济产业省批准台积电熊本县第二工厂生产3纳米制程先进半导体的计划，这将是日本国内首度制造3纳米制程晶片，月产能6000片。台积电原拟生产6纳米与12纳米制程，因研判AI需求增加而切换为更高性能产品。
魏哲家表示AI需求极其强劲、未见放缓迹象，宣布在台南追加增建一座3纳米晶圆厂（预计2028年上半年量产），并推进全球新增三座晶圆厂计划；亚利桑那第二座晶圆厂已完成建设、预计2027年三季度量产，公司正评估得州布局并与Terafab商谈产能合作；N2已于2025年四季度量产，预计2027年产能翻倍以上；四季度营收指引523亿至543亿美元，2026年资本开支600亿至640亿美元。
台积电10月15日公布三季度财报，单季营收466亿美元，环比增长16%，较市场预期高约2%；四季度营收指引中值533亿美元，超预期约6%，全年增速指引44%。管理层确认2026年资本支出维持600亿至640亿美元，并明确2026至2028年三年合计资本支出将大幅超越2023至2025年约1010亿美元的历史总量。
黄仁勋在采访中回忆了当年写信联系张忠谋、最终与台积电建立合作的过程，称选择台积电看重的是诚信与经营边界；他评价中国AI公司受算力限制极大，正被迫设计更高效率的架构，仍在积极融资推进业务；还谈及公开演讲的紧张感、对游戏玩家的感情以及中国台湾科技产业生态需投入数千亿美元。
台积电与格罗方德签署五年期、总额20亿美元的协议，委由格罗方德在美国纽约州生产CoWoS所需硅中介层，预计2028年上半年逐步放量。这是台积电首次将硅中介层委外，标志AI封装关键环节延伸至美国本土。
10月8日台积电公布营收报告：9月合并营收约新台币5118.57亿元，同比增长54.6%，环比微降0.6%；第三季度营收达1.49万亿新台币，同比增长51%，超出分析师预期；前三季度累计营收3.899万亿新台币，同比增长41.1%。
针对台积电探索与SpaceX、特斯拉共同发起的Terafab项目合作的消息，马斯克在社交媒体回应称双方仅处于讨论阶段，但可能会有所进展。讨论方案包括台积电持有并运营得州新工厂，或Terafab持多数股权、台积电提供技术与运营经验。
10月2日据媒体报道，台积电正考虑在美国德州兴建新园区，涉及多座晶圆厂，每座成本至少200亿美元，为其在美国芯片制造扩展计划额外投入数百亿美元。此前台积电已承诺在亚利桑那州园区投资2650亿美元，德州投资取决于美国国会是否延长年底到期的税务减免。
9月28日报道，因苹果、英伟达、AMD、高通、联发科等主要客户将订单量增加10%至20%，台积电加速扩大2nm产能，年底月产能可能达12万片，高于此前市场预估的9万至10万片，原定2027年达到的产能水平将提前实现。