SK海力士考虑与英特尔合作生产下一代HBM基底
8月31日，据报道，SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。
SK海力士此前在HBM3E之前均自行生产基底芯片，但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高，自HBM4起转由台积电代工，目前量产中的HBM4基底芯片采用台积电12纳米级工艺。
业内人士称，台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3至4倍。随着HBM4E升级，成本压力预计进一步增加，而HBM产品大量采用长期供应协议，厂商难以迅速将代工成本转嫁给客户。若英特尔加入供应链，SK海力士有望降低成本并提升供应稳定性，同时减少对单一代工厂的依赖。此外，双方合作未来也可能延伸至先进封装领域，SK海力士目前正评估台积电CoWoS-S、CoWoS-L及英特尔EMIB等方案。
- 2026-08-31 15:36 | 华尔街见闻：为降低HBM成本，SK海力士被曝评估英特尔代工方案阅读原文
许超 08-31 15:36 受制于高昂代工成本，SK海力士拟引入英特尔代工HBM4E基础芯片，或将打破台积电垄断。此举意在重夺议价权、发力定制化HBM，双方更有望在先进封装领域联手。全球AI芯片供应链洗牌在即。 SK海力士正寻求分散高带宽内存关键组件的供应链，将英特尔纳入代工体系，以降低成本并提升议价能力。 据韩国《先驱经济》报道，SK海力士计划最早从第七代高带宽内存HBM4E起，将此前全部委托台积电生产的基础芯片（Base Die）部分转交英特尔代工，构建多供应商体系。此举旨在打破对台积电的单一依赖，同时在长期供应合同框架下缓解持续攀升的原材料成本压力。 这...
- 2026-08-31 11:57 | 界面新闻：SK海力士考虑英特尔代工HBM4E基底芯片阅读原文
8月31日，据报道，SK海力士正研究与英特尔合作生产下一代高带宽内存（HBM）关键组件基底芯片，最早可能从第七代HBM产品HBM4E开始引入英特尔，与台积电形成多供应商体系。SK海力士此前在HBM3E之前均自行生产基底芯片，但随着基底芯片的逻辑功能和性能要求提高，自HBM4起转由台积电代工，目前量产中的HBM4基底芯片采用台积电12纳米级工艺。 业内人士称，台积电供应的HBM4基底芯片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3至4倍。随着HBM4E升级，成本压力预计进一步增加，而HBM产品大量采用长期供应协议，厂商难以迅速将代工成本转嫁给客户。若英特尔加入供应链，SK海...