美光预告2028年推出vHBM与vEIM内存，vEIM瞄准端侧AI推理

2026年10月21日，美光（Micron）举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD等存储技术进行展望。美光预计，在标准HBM5问世的2028年，还将推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存。

vHBM是3D集成版本的HBM，通过垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片，缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗，并可与标准2.5D HBM共存。vEIM的结构与vHBM类似，但其设计瞄准端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和小于1pJ/bit的能效。

为实现vHBM和vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案。

来源

2026-10-22 09:45 | IT之家：美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM
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IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来，分别是 vHBM 和 vEIM。vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计瞄准的是端侧 A...